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潇洒不过半年 看骁龙835秒杀821的几点

【原创】 2016-11-25 06:00 韩宇琦 抢沙发

  【手机中国 杂谈】处理器可以说是手机性能表现的核心依据,它在手机的所有组成部分中占据着重要的位置,手机能否反应迅速、流畅使用都和处理器的优劣息息相关。目前手机市场的处理器大体可以分为四家,分别为高通骁龙、联发科、三星以及麒麟。


  在处理器方面,虽不能说高通一家独大,但是目前来看确实有它的优势存在,尤其是前不久刚刚发布的新一代高通骁龙835,回首半年前,高通发布了旗舰处理器821,作为820处理器的补充版本,性能也相比820提升了10%,但是随着新处理器的曝光,风头还是盖过了骁龙821。那么作为明年的主流处理器究竟比高通821提升了哪些,今天就来为大家梳理一下。

  首先我们先来回顾一下高通骁龙821的配置,这款处理器内置了四颗Koyo架构核心,两颗高频核心主频最高为2.4GHz,而低频核心主频最高为2.0GHz,GPU频率为650MHz。其他方面骁龙821和820一致,均搭载了X12 LTE modem基带,支持Cat.12/13,最高支持下行600Mbps的高速网络,上传最高为150Mbps。

骁龙820/821对比
骁龙820/821对比

  更为直观的提升体现在,更短的开机时间、更快的应用启动速度以及更顺畅的用户交互方面。而全新的特性和功能包含了一个骁龙虚拟现实软件开发包,这显示是为VR准备的,还拥有双PDAF对焦方案,以及能够更加精准对焦的扩展激光自动对焦范围。

  接下来我们看看骁龙835相对于821提升的地方:

  首先,它采用了更先进的制程工艺,是半导体最新的10nm制程工艺,而821还是14nm制程。与其上一代14纳米FinFET工艺相比,三星10纳米工艺可以在减少高达30%的芯片尺寸的基础上,同时实现性能提升27%或高达40%的功耗降低。

高通835发布
高通835发布

  此外,它还拥有更强的CPU,据悉将采用八核心设计,弥补了骁龙820CPU多线程弱的缺点。而在GPU方面,上一代骁龙821搭载了Adreno 530GPU,就目前而言性能上仅次于苹果A10的GPU,而新一代骁龙835想必也会搭载性能更为出色的GPU,以满足VR时代对于手机图形处理器的高要求。

  预计还会采用Vulkan这个全新的图形API,虽然在高通骁龙820/821已经体现了Vulkan这一革命性的API,但显然还不够完善,毕竟这对GPU的性能也有一定的要求,而骁龙835升级了CPU以及GPU后,在次看来能够更为全面的发挥出应有的性能表现。

  除了性能配置上的提升,它还将带给我们更快的充电速度,高通同步发布新一代 QC4.0 快速充电技术。相比 QC 3.0 充电速度提升 20%,并支持 Type-C。能够实现“充电 5 分钟,通话五小时”。大约 15 分钟内,可冲入 50% 的电量。另外,QC4.0 有更好的电源管理系统,能够有效降低充电造成的电池损耗。


  在基带方面,高通骁龙也曾透露下一代产品的基带将会采用下行速率高达1Gbps的X16基带,相比于821的X12简直提升了太多,但是目前还不确定会不会将此技术应用于手机厂商,让手机用户也能享受到1Gbps的下载速率,但是至少可以肯定的是,他们已经拥有了更先进的基带技术。

  写在最后:在高通发布了自家10nm制程的处理器后,许多其他供应商也开始了研制,例如联发科的十核Helio X30也是采用10纳米制程工艺,以及近两日曝出的麒麟970。由此可见,移动芯片技术已经全面进入10纳米制程工艺时代,想必明年的手机产品也将带给我们不少惊喜。

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