台积电：3nm工艺取得突破 2nm工艺将启用全新技术

　　【手机中国新闻】随着技术的提升，在芯片工艺上各企业都在突飞猛进，最近台积电（TSMC）对外公开表示，该公司在3nm工艺开发上取得突破。其中在今年8月将可能率先投片第二版3nm制程的N3B，2023年第二季度将有可能量产3nm制程的N3E，比预计提前了半年。

　　据悉，在去年台积电总裁魏哲家就曾表示，N3制程节点仍使用FinFET晶体管的结构，推出的时候将成为业界最先进的PPA和晶体管技术，同时也会是台积电另一个大规模量产且持久的制程节点。在实现3nm工艺上的突破后，台积电似乎对2nm工艺变得更加有信心。据TomsHardware报道，本周台积电总裁魏哲家证实，N2制程节点将如预期那样使用Gate-all-around FETs（GAAFET）晶体管，制造的过程仍然为目前使用的极紫外（EUV）光刻技术。预计台积电在2024年末将做好风险生产的准备，并在2025年末进入大批量生产，2026年首批2nm芯片将有机会正式投入市场。目前台积电N2制程节点在研发上已走上正轨，无论晶体管结构和工艺进度都达到了预期。

　　可以预计的是，随着晶体管变得越来越细小，全球新工艺技术上的速度逐渐放缓，以台积电为例，此前的制程节点大概每两年就会进行一次更新，而现在则需要更长的时间。N2制程节点的时间表一直都不太确定，台积电在2020年首次确认了该项工艺的研发，根据过往信息，2022年初开始建设配套的晶圆厂，预计2023年中期完成建筑框架，2024年下半年安装生产设备。