中科院：计算光刻技术取得重大进展 量变达到质变！

　　【CNMO新闻】光刻机被卡脖子成为华为心中的痛，也成为悬在我们头上的一把剑。理性来看，国内的光刻机技术在短期内很难取得重大突破，但只要一步一步来，从量变达到质变，是能够有所突破的。根据中国科学院官网的消息，中国科学院上海光学精密机械研究所（简称中科院上海光机所）最近在光刻技术上取得重要进展。

中科院计算光刻技术研究取得进展

　　据中科院官网刊文称，上海光机所信息光学与光电技术实验室提出一种基于虚拟边（Virtual Edge）与双采样率像素化掩模图形（Mask pixelation with two-phase sampling）的快速光学邻近效应修正技术（Optical proximity correction, OPC），仿真结果表明该技术具有较高的修正效率。

　　文章还称，快速光学邻近效应修正技术（Optical proximity correction, OPC）通过调整掩模图形的透过率分布修正光学邻近效应，从而提高成像质量。基于模型的OPC技术是实现90nm及以下技术节点集成电路制造的关键计算光刻技术之一。

中科院上海光学精密机械研究所

　　另外，中科院还对计算光刻技术（Computational Lithography）进行了科普。所谓计算光刻技术，它是在光刻机软硬件不变的情况下，采用数学模型和软件算法对照明模式、掩模图形与工艺参数等进行优化，可有效提高光刻分辨率、增大工艺窗口。该技术被认为是推动集成电路芯片按照摩尔定律继续发展的新动力。