技术新突破 英特尔公布3D芯片制造方法

　　【手机中国新闻】在芯片制造中随着制程进步，把晶体管挤到一起变得越来越困难，而我们现在已经接近摩尔定律的终点，唯一的选择就是垂直放置。这就是3D芯片设计的精髓所在，也是英特尔发布的重大声明的关键所在，它开发了第一个3D芯片架构，允许逻辑芯片(比如CPU和图形)堆叠在一起。这不是一个遥不可及的研究项目，英特尔宣称，我们将在明年下半年看到首批使用Foverus的产品。

英特尔处理器

　　我们已经在AMD的R9 Fury X这样的显卡上，看到了3D堆叠的高带宽内存(R9 Fury X是由AMD前图形主管Raja Koduri设计的，他现在是英特尔核心和视觉计算部门的领导者)，但是Foverus将这一概念提升到了一个全新的高度。英特尔表示，它将允许更小的“芯片粒子”，这种芯片描述位于基本芯片之上的快速逻辑芯片，处理诸如电源输入/输出和电源传输等任务。Foverus的首个产品听起来很吸引人，它将是一个10纳米的计算元件，其基础芯片通常用于低功耗设备。

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　　最大的收获是，英特尔将能够在占用更少空间的芯片设计中，加入更多的晶体管提高自身的效率。该公司没有透露第一个配备foverus的芯片将会由谁推出，但听起来它非常适合轻薄的机器。高通(Qualcomm)新推出的个人电脑骁龙(Snapdragon)处理器，可能会面临来自英特尔(Intel)的竞争。