氮化镓out了？日企2025年量产100毫米氧化镓晶圆

　　【CNMO新闻】半导体行业的发展离不开基础材料的不断进化，目前，氧化镓正成为半导体行业冉冉升起的新星。据CNMO了解，氧化镓被认为是继第三代半导体材料碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）之后的第四代半导体材料。可以说，氧化镓是最具市场潜力的半导体材料，有可能在未来十年称霸半导体市场。对此，已经有日本企业开始行动了。

　　近日，日经新闻报道称，日本新兴企业Novel Crystal Technology正加紧推进配备在纯电动汽车上的功率半导体使用的新一代晶圆的商业化。据悉，这是一种由氧化镓（GaO）制成的晶圆，最早将于2025年开始量产。

　　Novel Crystal计划2025年起每年生产2万枚100毫米晶圆，到2028年量产效率更高的200毫米晶圆。该公司社长仓又表示，氧化镓比碳化硅更占优势，该公司的自主工艺可将成本降低到三分之一的水平。

　　对于很多人来说，氧化镓还比较陌生。简单来说，这种材料拥有超宽禁带的特性，能承受更高电压的崩溃电压和临界电场，因此在超高功率元件的应用方面极具潜力。再加上其高质量与大尺寸的天然衬底，相对于目前采用的宽禁带碳化硅与氮化镓技术，具备独特且显著的成本优势。