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高通获GTI年度创新技术产品杰出贡献奖

原创 2015-03-06 02:10 孟滨 抢沙发

  MWC期间,由TD-LTE全球发展倡议(GTI)主办, GSMA 协办的GTI峰会2015在巴塞罗那举行。与会嘉宾共同讨论了LTE TDD/FDD网络完美融合的发展和规划、LTE演进发展前景、4G相关的商业和应用创新等议题。

  中国工信部科技司副司长李力出席会议并致辞,他表示,未来中国政府将继续推动4G加速发展,促进4G网络应用和 FDD/TDD融合组网的试验和部署。Qualcomm执行董事长保罗•雅各布博士应邀出席此次峰会并发表主题演讲,与爱立信首席执行官Hans Vestberg和三星IT&移动通信部门首席执行官JK Shin一起探讨4G创新与无线连接的未来。保罗•雅各布博士在主题演讲中分享了自己对于LTE TDD/FDD融合发展及向5G技术演进的观点。

  峰会期间,GTI将“年度创新奖-创新技术产品类杰出贡献奖”(the GTI Innovation Award 2014, Outstanding Contribution on Innovative Technical Product )授予Qualcomm公司,以表彰其在4G LTE技术创新方面做出的卓越贡献。长期以来,业界的普遍共识是,Qualcomm是4G LTE技术的主要驱动者之一,在LTE领域的技术演进、芯片产品阵容和商用化进程等方面均保持业界领先。在LTE芯片组方面,多模多频是Qualcomm推出的LTE芯片的重要优势,其产品同时支持TDD和FDD以及所有2G、3G标准,从而有效推动LTE在全球各地的推出。

  本次MWC一大亮点是,Qualcomm联合爱立信首次公开演示了Category 11 LTE-Advanced(LTE-A)载波聚合(CA)连接。采用LTE Category 11 三信道60MHz载波聚合、256正交振幅调制(QAM),以及由爱立信提供的网络基础设施,Qualcomm展示了最高达600Mbps的下载速度。该技术旨在为OEM厂商提供最新的连接选择,其中新增的256QAM提高了网络效率,特别是对于移动运营商的小型基站部署。

  此外,Qualcomm还支持了爱立信和诺基亚展台的LTE TDD-FDD 双载波聚合演示。LTE TDD-FDD载波聚合使LTE TDD 频谱和 LTE FDD频谱结合起来,提供更高的峰值速率和更大的跨网络应用覆盖,并确保频谱的有效利用,扩大网络中结合在一起的TDD和 FDD覆盖范围和容量。

  值得关注的是,中国移动在峰会上公布了包括年底前建成100万4G基站,实现全网覆盖、力争具备条件的国家和地区100%开通LTE国际漫游、年底4G客户力争达到2.5亿等新年发展计划,并首次联合Qualcomm等产业合作伙伴面向全球发布了50欧元的低成本5模产品方案、支持融合通信三新功能的芯片解决方案以及全球领先的4G车联网服务等创新技术产品。

  中国移动副总裁沙跃家也在峰会上表示,终端技术方面,将携手产业链打造4G Global Phone,让用户一机在手走遍全球。围绕此目标,进一步推动支持TDD/FDD融合,支持主流模式和频段,推动更多的终端、芯片等支持VoLTE、RCS,支持LTE-A关键特性。而公开信息显示,在处理器领域,Qualcomm 处理器已能覆盖全球所有40多个频段、7种网络制式和17种语音制式;而Qualcomm也在多个场合演示了通过在视频通信中将网络从LTE分别切换到3G和Wi-Fi,演示了VoLTE切换到Wi-Fi/3G语音的服务连续性。此外,各级骁龙处理器也已全面支持LTE-Advanced载波聚合技术。

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